Nanolab-> Список оборудования по категориям
Описание[]
Установка для генерации изображений методами растрового и векторного лазерного экспонирования предназначена для прямого формирования рисунков на фоторезистах с использованием сфокусированного лазерного излучения.
Установка должна обеспечивать:
• климатические параметры (ламинарный воздушный поток, температурную стабильность, класс чистоты), необходимые для устойчивой бесперебойной работы системы лазерного экспонирования;
• активную виброизоляцию;
• автофокусировку лазерного излучения;
• метрологические измерения и регулировку процессов лазерного экспонирования и положения подложки;
• растровый и векторный методы лазерного экспонирования;
• совмещение структур по задней стороне;
• область записи – 200х200 мм2;
• работу с подложками толщиной до 6 мм.
Технические характеристики[]
'DWL 66FS - 'cистема безмасковой лазерной литография Heidelberg Instruments Mikrotechnik GmbH (Германия) для производства фотошаблонов и прямого формирования изображения[1]
Лазерный генератор изображений Heidelberg DWL 66FSпредназначен для задач НИОКР, мелкой серии, опытное производство. Формирования топологических структур на металлизированных фотошаблонах при производстве интегральных схем, гибридных интегральных схем, а также для формирования структур на пластине, при производстве МЭМС, БиоМЭМС, интегрированной оптики и др.
Для обеспечения высокоточного перемещения лазерного луча генератор оборудован специальной оптической системой и системой позиционирования подложки. Во время экспонирования положение координатного столика контролируется с помощью интерферометрической системы высокого разрешения.
Для обеспечения наилучшей разрешающей способности генератор оборудован системой автофокусировки.
Для перемещения подложки в горизонтальной плоскости применяется специальная система позиционирования.
Камера микроклимата входит в комплект поставки.
В базовой комплектации система оснащена диодным лазером, работающим на длине волны 405 нм. В зависимости от технических требований заказчика установка может быть оснащена различными лазерными системами: He-Cd (442 нм, 180мВт), Kr-ion (413 нм, 300 мВт) или Ar-ion (363 нм, 180 мВт), UV (375 нм, 18 мВт).
Технические характеристики:[]
Минимальный топологический размер до 0,6 мкм;
Дискретность адресной сетки до 25,4 нм;
Скорость экспонирования для области 100 х 100 мм — до 416 мм2/мин;
Неровность края элементов до 60 нм;
Толщина подложки до 6 мм;
Погрешность позиционирования подложки: 10 нм;
Размеры установки: 1740 х 1220 х 2200 мм, вес: 1000 кг;
Размеры блока управления: 560 х 600 х 1250 мм, вес: 60 кг;
Энергопотребление: 230 VAC ± 5 %, 50/60 Hz, 16 A.
Класс чистоты комнаты: 1000 или лучше.
Состав установки в базовой комплектации:[]
Камера микроклимата;
Гранитное основание и основной блок;
Антивибрационная система;
Оптическая система;
Измерительная система;
Калибровочная система автофокусировки;
Система позиционирования подложки;
Электронный блок управления;
Персональный компьютер пользователя;
Комплектация по заказу :[]
Возможность работы с различным разрешением путём простой замены пишущей головки;
Совмещение с обратной стороны с помощью дополнительных камер;
Блок охлаждения для камеры микроклимата, при использовании мощных лазерных источников;
Возможность использования различных лазерных источников для работы на разных длинах волн.
Лазерные источники:[]
Диодный лазер — 405 нм, 50 мВт, 7000 часов, воздушное охлаждение, для тонких и стандартых резистов;
HeCd лазер — 442 нм, 180 мВт, 4000 часов, воздушное охлаждение, для тонких и стандартных резистов, низкочувствительные резисты;
Ar-ion лазер — 363 нм, 180 мВт, 5000 часов, водяное охлаждение, для стандартных резистов, УФ резистов;
Kr-ion лазер — 413 нм, 300 мВт, 5000 часов, водяное охлаждение, для стандартных резистов, УФ резистов;
UV лазер — 375 нм, 18 мВт, 5000 часов, водяное охлаждение, для стандартных резистов, УФ резистов
Режимы формирования рисунка:[]
| Режим работы | I | II | III | IV | V |
| Размер адресной сетки, нм | 25 | 50 | 125 | 250 | 500 |
| Минимальный размер элемента, мкм | 0,6 | 1,0 | 2,5 | 5,0 | 10,0 |
| Скорость рисования, мм2/мин. | 1,5 | 5,7 | 36 | 119 | 416 |
| Неровность края (3σ), нм | 60 | 80 | 120 | 180 | 280 |
| Равномерность (3σ), нм | 80 | 100 | 220 | 440 | 880 |
| Точность совмещения (3σ), нм | 200 | 250 | 500 | 1000 | 2000 |